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炭化瑰
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。 1、半导体照明领域 采用碳化硅作为衬底的LED期间亮度更高、能耗更低寿命更长、单位芯片 2021年7月5日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 编辑 智东西内参 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃 2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409212,化学式:CSi,分子量:401,密度:322 g/mL at 25 °C (lit),熔点:2700 °C (lit),沸点:2700℃,水溶性:Soluble 碳化硅化工百科 ChemBK
碳化硅 知乎
2020年4月24日 碳化硅是当前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对碳化硅的研究很重视，美欧日等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，碳化硅材料可应用于功能陶 2023年7月14日 国际大厂产能加速扩张，都在积极布局SiC市场，争先恐后加码扩产。 英飞凌正着力提升碳化硅产能，以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标；ST计划在2022年前将SiC器件产能扩大25 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus 腾讯网碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500 ~600MPa的较高水平，因此其工作温度可达1600 ~ 1700摄氏度。碳化硅陶瓷 百度百科5 天之前 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特 2022年4月24日 摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先 2022年3月30日 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你2022年5月20日 碳化硅 具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿 碳化硅的用途 (1)磨料:由于其超硬性能,可制备成各种磨削用的砂轮、砂布、砂纸以及各类磨料,广泛应用于机械加工行业。我国工业碳化硅主要作磨料用,黑色碳化硅制成的磨具,多用于切割和研磨抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石料和耐火物等,同时也用于铸铁零件和有色金属材 碳化硅特性 百度文库2024年6月19日 碳化硅（SiC）是一种具有多型晶（polytypes）结构的宽禁带半导体材料，其主要多型晶包括4HSiC、6HSiC和3CSiC 。每种多型晶的晶体结构和物理性质有所不同，这对其在电子器件中的应用有重要影响。4HSiC：这种多型晶的晶格常数较小，拥有较高 碳化硅外延晶片：深度解析物理特性，外延技术和应用前景
半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？
2023年12月5日 一、碳化硅的前世今生 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高 2019年9月2日 碳化硅材料具有很高的临界位移能约为45~90eV。这使得碳化硅材料具有很高的抗辐射能力和抗电磁波冲击(EMP：ElectroMagnetic Pluse) 能力。表1 室温下几种半导体材料特性的比较 表1列出了碳化硅与 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎2020年2月22日 LED是显示设备的核心，射频是5G通讯的核心，这三者的基础都是碳化硅，所以我认为碳化硅 是半导体材料的王者，而氮化镓温文尔雅，在碳化硅的肩膀上极致发挥，应该被誉为半导体材料的王后。三、 第三代半导体材料的王者，氮化镓or碳化硅？ 知乎2023年10月13日 碳化硅的化学性质碳化硅的化学性质可以概括如下：1 碳化硅和碱：通常情况下，碳化硅不与碱反应。它是一种非金属材料，相对稳定，不容易被碱侵蚀。因此，碱性溶液一般不会对碳化硅产生显著的化学反应。这是因为碳化碳化硅的化学性质 百度知道
碳化硅SiC引领新时代：特性与优势一览 ROHM技术社区
2023年4月11日 碳化硅是一种环境友好的半导体材料。相对于硅，碳化硅的生产和制造过程中不仅能够减少对地球资源的依赖，还能降低环境污染与碳排放。 碳化硅SiC作为一种新兴材料，具有出色的特性与优势，正引领着电子技术的新时代。2024年5月21日 目前碳化硅二极管(SBD)、MOSFET已经开始商业化应用。 1碳化硅晶圆（裸芯片）： 指碳化硅功率器件集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之超快高频功率器件产品。碳化硅器件的特性优势和八大应用领域 CN知EV2019年9月5日 以下为国内碳化硅产业主要公司： 山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。 天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产24英寸晶片。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎2019年6月13日 碳化硅功率器件具有开关频率快、短路时间短等特点，目前器件保护技术尚不能满足需求。（3）碳化硅器件的电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准确的指导。系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇材料
硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域
2019年9月25日 而碳化硅由于其承受大电压和大电流的能力，特别适合制造大功率器件、微波射频器件和光电器件等。特别是在功率半导体领域，一旦碳化硅的成本降低，它将在一定程度上取代硅基的MOSFET、IGBT等器件。然而，碳化硅并不适用于数字芯片，两者是相互补 2022年5月13日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。尽管存在许多种类和纯度的碳化硅，但半导体级质量的碳化硅仅在最近几十年才出现。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强 碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
碳化硅与氮化硅：两种材料的特性与应用差异 百家号
2023年12月15日 碳化硅，化学式为SiC，是一种无机非金属材料。它是由硅和碳在高温下反应生成的，具有许多优异的性质，如高硬度、高强度、高抗氧化能力等。碳化硅的硬度非常高，仅次于金刚石，因此被称为“陶瓷钢”。3 天之前 纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注，其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。本文在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对 纳米碳化硅的制备与应用研究进展 汉斯出版社2022年5月10日 6 碳化硅 宽禁带半导体目前存在问题 ①大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。目前国际上已经开发出了8英寸SiC单晶样品，单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC单晶衬底加工技术；p型衬底技术的研发较为滞后 第三代半导体材料——碳化硅百科资讯中国粉体网2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 九域半导体科技
碳化硅是第三代半导体重要的材料科学指南针 知乎
2023年12月4日 碳化硅MOS的优势 硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。2023年12月13日 此外，碳化硅晶体拥有很高的饱和电子迁移率和热导率，从而提高了电力电子器件的开关速度和可靠性。 二、多种晶型构成丰富多样的碳化硅 碳化硅的晶体结构丰富多样，目前已经发现的晶型达到200多个。其中，常见的SiC晶型有3CSiC 教你了解碳化硅(SiC)半导体的结构和生长技术 RF技术社区2023年3月28日 硅、碳化硅，氮化镓三种材料关键特性对比 SiC与GaN晶体管的结构对比 碳化硅MOSFET的结构 常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构如下图所示。为了减小通道电阻，这种结构通常设计为很薄的门极氧化层，由此带来在较高的门极输入电压下门 第三代半导体，碳化硅SiC与氮化镓GaN，它俩谁会在未来更 2023年3月22日 它们的禁带宽度在 23eV 以上，其中又以 SiC 碳化硅和 GaN 氮化镓为代表。 与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，翻译下来就是：高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强。宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC） 知乎
【原创】 碳化硅理化性能及应用速览 中国粉体网
2021年10月20日 中国粉体网讯 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。 碳化硅材料由于 2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该 文对近些年来不同SiC 器件的发展进行分类梳理，介绍二极碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE2023年7月7日 由于碳化硅的结合力很强，掺杂起来比较困难，需要采用离子注入或者外延生长等方法。碳化硅的氧化层质量也不如硅的好，需要采用特殊的氧化工艺或者替代材料。碳化硅与金属之间的接触电阻也比较大，需要采用特殊的金属或者合金来降低接触电阻。第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 百家号2023年4月17日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱 和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高 频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智 能电网、新能源汽车、光伏风 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势 电子工程
2024年1月19日 碳化硅MOSFET具有高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。一 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体 2022年6月21日 碳化硅陶瓷材料是什么碳化硅 (SiC) 的特性与金刚石非常相似——它是最轻、最硬和最强的技术陶瓷材料之一，具有出色的导热性、耐酸性和低热膨胀性。当物理磨损是一个重要考虑因素时，碳化硅是一种出色的材料，因为碳化硅陶瓷材料性能概述及应用 知乎2023年8月23日 碳化硅（SiC） 是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。 其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领 碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 百家号2024年1月3日 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍;用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。碳化硅是第三代半导体重要的材料科学指南针 深圳pcim
碳化硅行业专题报告：光伏发电驱动，SiC器件渗透率有望持续
2022年4月13日 碳化硅 物理特性优良，满足光伏逆变器对高效率、高功率密度、高可靠性的要求 21 光伏逆变器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向发展 为降低用电成本，光伏逆变器需不断提高运行效率。2019 年国家发改委、能源局推出光伏 发电无补贴 2021年6月18日 碳化硅 MOSFET结构及其特性 碳化硅MOSFET的结构 常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构如图9所示。为了减小通道电阻，这种结构通常设计为很薄的门极氧化层，由此带来在较高的门极输入电压下门极氧化层的可靠性风险。工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC？到底该pick谁？5 天之前 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社2022年10月9日 由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特 碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先
2022年4月24日 摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由于碳化硅为强共价键化合物，且具有低的扩散 2022年3月30日 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你2022年5月20日 碳化硅 具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新碳化硅的用途 (1)磨料:由于其超硬性能,可制备成各种磨削用的砂轮、砂布、砂纸以及各类磨料,广泛应用于机械加工行业。我国工业碳化硅主要作磨料用,黑色碳化硅制成的磨具,多用于切割和研磨抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石料和耐火物等,同时也用于铸铁零件和有色金属材 碳化硅特性 百度文库2024年6月19日 碳化硅（SiC）是一种具有多型晶（polytypes）结构的宽禁带半导体材料，其主要多型晶包括4HSiC、6HSiC和3CSiC 。每种多型晶的晶体结构和物理性质有所不同，这对其在电子器件中的应用有重要影响。4HSiC：这种多型晶的晶格常数较小，拥有较高 碳化硅外延晶片：深度解析物理特性，外延技术和应用前景 2023年12月5日 一、碳化硅的前世今生 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高 半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？